пятница, 24 февраля 2012 г.

Многослойный трехмерные графеновые транзисторы смогут стать заменой кремниевым технологиям

Многослойный трехмерные графеновые транзисторы смогут стать заменой кремниевым технологиям

Новый полевой туннельный транзистор, изготовленный на основе графена, был разработан командой ученых Манчестерского университета, возглавляемой Лауреатами Нобелевской премии профессорами Андреем Геймом и Константином Новоселовым. Использование графена в качестве ключевого материала транзисторов и других полупроводниковых приборов имеет огромный потенциал для того, что бы графен можно было рассматривать как достойную замену кремниевым технологиям. Именно этот потенциал и перспективы привлекают внимание таких производителей полупроводниковой продукции, как IBM, Samsung, Texas Instruments и Intel. И некоторые группы ученых уже успешно создали графеновые транзисторы, способные работать на частотах от 100 до 300 ГГц.

Читать полный текст новости в Блоге Невидимки.

Комментариев нет:

Отправить комментарий